Úplné zobrazení záznamu

Toto je statický export z katalogu ze dne 24.12.2016. Zobrazit aktuální podobu v katalogu.

Bibliografická citace

.
0 (hodnocen0 x )
(6) Půjčeno:6x 
BK
1. vyd.
Praha : Grada, 2000
179 s. : barev. il. ; 23 cm

objednat
ISBN 80-247-9062-9 (brož.)
Obsahuje bibliografii na s. 170 a rejstřík
Elektronika - učebnice vysokošk.
000027163
Předmluva 9 // 1. Elektrická vodivost pevných látek 11 // 1.1 Energetická pásová struktura pevných látek 11 // 1.2 Izolanty, kovy, polovodiče 14 // 1.3 Nevlastní polovodič 22 // 2. Základní pojmy 28 // 2.1 Proud 28 // 2.2 Napětí 28 // 2.3 Výkon 29 // 2.4 Kirchhoffovy zákony 29 // 2.4.1 První Kirchhoffův zákon 29 // 2.4.2 Druhý Kirchhoffův zákon 30 // 2.5 Ohmův zákon 30 // 2.6 Zdroje napětí a proudu 32 // 2.6.1 Zdroj napětí 32 // 2.6.2 Zdroj proudu 33 // 2.6.3 Dualita zdroje napětí a proudu 33 // 2.6.4 Theveninův teorém 34 // 2.6.5 Nortonův teorém 36 // 2.7 Náhradní lineárni obvody 36 // 2.7.1 Linearizovaný odporový dvojpól 36 // 2.7.2 Linearizovaný odporový dvojbran 38 // 2.7.2.1 Hybridní charakteristické rovnice 39 // 2.7.2.2 Vztah h21e a h21E 43 // 2.7.2.3 Admitanční charakteristické rovnice 44 // 27.2.4 Prevodní vztahy mezi hybridními a admitančními parametry 47 // 3. Pasivní součástky 49 // 3.1 Rezistory 49 // 3.1.1 Parametry rezistorů 49 // 3.1.1.1 Řady jmenovitých hodnot 49 // 3.1.1.2 Jmenovitá zatížitelnost 50 // 3.1.1.3 Další parametry rezistorů 51 // 3.1.2 Značen (rezistorů 51 // 3.1.2.1 Číselné značení s příponou 51 // 3.1.2.2 Barevný kód 52 // 3.1.2.3 Číselné značení 52 // 3.2 Kapacitory 54 // 3.2.1 Energie elektrostatického pole kapacitoru 57 // 3.2.2 Parametry kapacitorů 57 // 3.2.3 Konstrukční typy kapacitorů 59 // 3.2.3.1 Kapacitory s dielektrikem z umělých hmot 59 // 3.2.3.2 Keramické kapacitory 59 // 3.2.3.3 Elektrolytické kapacitory 60 // 3.2.3.4 Kapacitory v monolitických integrovaných obvodech 60 // 3.2.4 Značení kapacitorů 61 // 3.3 Induktory 61 // 3.3.1 Energie magnetického pole induktoru 62 // 3.3.2 Parametry induktorů 63 // 3.3.3 Indukčnost induktoru 64 // 3.4 Skládání rezistorů, kapacitorů a induktorů 65 // 3.4.1 Sériové a paralelní řazení rezistorů 65 // 3.4.2 Sériové a paralelní řazení kapacitorů 66 //
3.4.3 Sériové a paralelní řazení induktorů 66 // 4. Diody 68 // 4.1 P-N přechod 68 // 4.2 Dioda s P-N přechodem 70 // 4.2.1 Propustný směr 70 // 4.2.2 Závěrný směr 72 // 4.2.3 Volt-ampérová charakteristika ideálního P-N přechodu 73 // 4.2.4 Charakteristiky diod s P-N přechodem 75 // 4.2.5 Lavinový jev 76 // 4.2.6 Tunelový jev 77 // 4.2.7 Parametry diod 78 // 4.2.8 Typy diod s P-N přechodem 82 // 4.3 Diody s přechodem kov-polovodič 85 // 4.3.1 Propustný směr 86 // 4.3.2 Závěrný směr 88 // 4.3.3 Volt-ampérová charakteristika ideálního přechodu kov-polovodič 88 // 4.3.4 Vlastnosti a parametry diod s přechodem kov-polovodič 90 // 4.4 Obvody s diodami 91 // 4.4.1 Usměrňovače 91 // 4.4.2 Stabilizátory napětí 95 // 5. Tranzistory 99 // 5.1 Bipolární tranzistor 99 // 5.1.1 Princip činnosti 100 // 5.1.1.1 Nevodivý režim 101 // 5.1.1.2 Normální aktivní režim 103 // 5.1.1.3 Inverzní aktivní režim 107 // 5.1.1.4 Režim saturace 107 // 5.1.2 Mezní parametry bipolárních tranzistorů 109 // 5.1.3 Základní zapojení bipolárních tranzistorů 110 // 5.1.3.1 Zesilovače s bipolárním tranzistorem 113 // 5.1.3.2 Spínače s bipolárním tranzistorem 118 // 5.2 Tranzistor JFET a MESFET 123 // 5.2.1 Princip činnosti 124 // 5.2.2 Mezní parametry tranzistorů JFET 127 // 5.2.3 Základní zapojení tranzistorů JFET 127 // 5.2.4 JFET jako zesilovač malého signálu 130 // 5.2.5 Tranzistor MESFET 134 // 5.3 Tranzistor MOSFET 135 // 5.3.1 Princip činnosti 136 // 5.3.2 Parametry a charakteristiky tranzistoru MOSFET 140 // 5.3.3 Mezní parametry 142 // 5.3.4 Zapojení tranzistorů MOSFET 143 // 5.3.5 Obvody CMOS 147 // 5.4 Tranzistory DMOS a IGBT 150 //
6. Tyristory 156 // 6.1 Spínání tyristoru 158 // 6.2 Vypínání tyristoru 160 // 6.2.1 Vypínání v obvodech střídavého napětí 160 // 6.2.2 Vypínání v obvodech stejnosměrného napětí 162 // 6.3 Vypínací tyristor GTO 164 // 6.4 Diak a triak 165 // Příloha - princip simulace polovodičových součástek 168 // Literatura 170 // Seznam použitých symbolů, značek a zkratek 171 // Rejstřík 174
(OCoLC)85011722
cnb000990410

Zvolte formát: Standardní formát Katalogizační záznam Zkrácený záznam S textovými návěštími S kódy polí MARC