Úplné zobrazení záznamu

Toto je statický export z katalogu ze dne 03.03.2018. Zobrazit aktuální podobu v katalogu.

Bibliografická citace

.
0 (hodnocen0 x )
(0.7) Půjčeno:2x 
BK
1. vyd.
Praha : SNTL - Nakladatelství technické literatury, 1990
283 s. : il. ; 24 cm

objednat
ISBN 80-03-00401-2
Obsahuje bibliografie a věcný rejstřík
Celostátní vysokoškolská učebnice pro vysoké školy technické
000032617
Rekat.
Obsah // Předmluva... 9 // Seznam hlavních použitých znaků a symbolů...10 // Úvod ...13 // 1. Přehled základů fyziky polovodičů... 17 // 1.1. Struktura pevných látek... 18 // 1.1.1. Kritéria polovodivých látek...22 // 1.1.2 Elementární polovodiče...22 // 1.1.3 Polovodivó sloučeniny ...23 // 1.2. Kvantově mechanická teorie pevných látek ...27 // 1.2.1 Model téměř volných elektronů...28 // 1.2.2. lllochův teorém...31 // 1.2.3. Energetické I ásy...32 // 1.2.4. 1’ohyb elektronu v periodickém potenciálu...34 // 1.2.5. Rozdíl mezi kovem, izolantem a polovodičem...37 // 1.2.0. Díry ...4(1 // 1.3. Pásový model polovodičů...41 // 1.3.1. Krystalová struktura...41 // 1.3.2. Model parabolických pásů...45 // 1.3.3. Pásová struktura polovodičů s diamantovou mřížkou...4ti // 1.3.4. Pásová struktura polovodičů se sfaleritovou mřížkou...49 // 1.3.5. Polovodiče s wurtzitovou strukturou...53 // 1.3.0. Chalkogenidy olova ...55 // 1.3.7. Telur a selen... 55 // 1.3.8. Amorfní polovodiče...55 // 1.3.9. Cyklotronová rezonance...50 // 1.4. Model reálného polovodiče...57 // 1.4.1. Vliv teploty...57 // 1.4.2. Kmity lineárního řetězce atomů ...59 // 1.4.3. Elektron-fononová interakce...62 // 1.4.4. Vliv teploty a tlaku na pásovou strukturu...63 // 1.4.5. Vliv elektrického pole na pásovou strukturu...64 // 1.4.6. Vliv magnetického pole na pásovou strukturu ...65 // 1.4.7. Vliv příměsí a mřížkových poruch na pásovou
strukturu...66 // 1.4.8. Dislokace... 70 // 2. Elektrony a díry v termodynamické rovnováze...72 // 2.1. Hustota stavů v dovolených pásech... 72 // 2.2. Rovnovážná Fermiho-Diracova rozdělovači funkce... 73 // 2.3. Vlastní polovodič ...74 // 2.4. 1’říměsový jiolovodič...79 // 2.5. Kompenzovaný polovodič...82 // 2.6. Dogenerovaný polovodič...84 // 3. Transportní jevy v polovodičích...85 // 3.1. Boltzmannova transportní rovnice ...86 // 3.2. Elektrická vodivost...88 // 5 // 3.3. Závislost relaxační iloby na energii...91 // 3.4. Rozptylové mechanismy...92 // 3.4.1. Mřížkový rozptyl...92 // 3.4.2. Rozptyl na ionizovaných přímésích... 95 // 3.4.3. Rozptyl na neutrálních přímésích...95 // 3.4.4. Jiné druhy rozptylu...96 // 3.5. Teplotní závislost pohyblivosti...96 // 3.6. Hallův jev a magnetorezistence...100 // 3.6.1. Magnotoodporový jev...104 // 3.7. Vliv teplotního gradientu na transport nosičů...106 // 3.7.1. Termoelektrický Seebeckúv jev...107 // 3.7.2. Peltierůvjev... 109 // 3.7.3. Termomagnetickó jevy ...111 // 3.7.4. Ettingshausenův jev ...111 // 3.7.5. Nemstův jev...112 // 3.7.6. Righiův-Leducův jev...112 // 3.8. Pohyb nosičů proudu v homogenním polovodiči...113 // 3.8.1. Vedení proudu ve vakuu...115 // 3.8.2. Vedení proudu v izolantu...116 // 3.8.3. Vedení proudu v polovodičích při velmi nízkých teplotách...118 // 3.9. Vliv vnějších polí na elektrickou vodivost polovodičů...121 // 3.9.1. Vliv elektrického
pole na pohyblivost nosičů...121 // 3.9.2. Vliv elektrického polo na koncentraci volných nosičů proudu...126 // 3.9.3. Vliv koncentračního gradientu na elektrickou vodivost polovodičů ...129 // 3.9.4. Einsteinův vztah...130 // Literatura ke kapitolám 1 až 3...132 // 4. Elektrony a díry v nerovnovážném stavu...133 // 4.1. Návrat к termodynamické rovnováze...133 // 4.2. Ambipolámí pohyblivost...135 // 4.2.1. Pohyb injoktované skupiny minoritních nosičů...136 // 4.2.2. Difúzni délka minoritních nosičů...139 // 4.2.3. Poissonova rovnice...141 // 4.3. Optická absorpce a generace nadbytečných nosičů...142 // 4.3.1. Dovolené přímé přestupy elektronů...143 // 4.3.2. Nepřímé přestupy elektronů...144 // 4.3.3. Přestupy mezi výběžky pásů...147 // 4.3.4. Exeitonová absorpce...148 // 4.3.5. Absorpce volnými elektrony... 148 // 4.4. Kinetika rekombinačníeh dějů...149 // 4.4.1. Mezipásová rekombinace...150 // 4.4.2. Augerova nárazová mezipásová rekombinace...151 // 4.4.3. Vliv rekombinačníeh center... 152 // 4.4.4. Vliv pastí na rekombinaci...153 // 4.4.5. Povrchová rekombinace...155 // 4.5. Fotoelektrické vlastnosti polovodičů...156 // 4.5.1. Vnitřní fotoelektrický jev...157 // 4.5.2. Fotoelektrická vodivost...157 // 4.5.3. Mechanismy fotoelektrické vodivosti ...158 // 4.5.4. Kvantový výtěžek...159 // 4.5.5. Vlastní fotoelektrická vodivost...160 // 4.5.6. Vliv příměsí na fotoelektrickou vodivost...161
4.5.7. Detektory infračerveného záření...162 // 4.5.8. Demberův jev...168 // 4.5.9. Fotomagnetoelektrický jev ...169 // 4.5.10. Vnitřní fotoelektrický jev v nehomogenních polovodičích ...170 // 4.6. Elektroluminiscence...171 // Literatura ke kapitole 4 172 // 5. Nehomogenní polovodičové systémy...174 // 5.1. Slabě nehomogenní polovodič...174 // 5.2. Strmý přechod PN...176 // 6 // 5.2.1. Difúzni napětí...116 // 5.2.2. Ideální voltampérová charakteristika...119 // 5.2.3. Injekční účinnost...162 // 5.2.4. Rozložení pole a potenciálu u strmého přechodu...185 // 5.2.5. Kapacita strmého přechodu I’N...187 // 5.3. Pozvolný přechod PN...188 // 5.4. Reálná voltampérová charakteristika...190 // 5.4.1. Vliv generace a rekombinace...190 // 5.4.2. Vliv vysoké injekce...192 // 5.4.3. Difúzni kapacita...193 // 5.5. Průraz přechodu PN...193 // 5.5.1. Tepelná nestabilita...193 // 5.5.2. Zenerův průraz...194 // 5.5.3. lavinový průraz...195 // 5.6. Spínací vlastnosti přechodu...198 // 5.7. Přechod PP+ a NN+, odporový kontakt...199 // 5.8. Heteropřechody a dvourozměrný elektronový plyn...199 // 5.8.1. Epitaxo molekulárních svazků...202 // 5.8.2. Dvourozměrný elektronový plyn (TDEG)...203 // 5.8.3. Bariéry v polykrystalických polovodičích ...205 // 5.9. Kontakt kov-polovodič...206 // 5.9.1. Ideální Schottkyho kontakt...207 // 5.9.2. Reálný Schottkyho kontakt...208 // 5.9.3. Voltampérová charakteristika Schottkyho kontaktu...211
// 5.9.4. Tunelový jev na Schottkyho kontaktu...213 // 5.9.5. Realizace odporových kontaktů...215 // 5.9.6. Vstřikování menšinových nosičů...216 // Literatura ke kapitole 5 216 // 6. Povrchové jevy...218 // 6.1. Potenciál, náboj a elektrické pole na povrchu polovodiče...218 // 6.2. Ideální st ruktura MIS...220 // 6.3. Reálná struktura MIS...225 // 6.4. Určení hustoty povrchových stavů...227 // 6.4.1. Zjištění množství pohyblivých iontů pomocí zkoušek ВТ...229 // 6.4.2. Metoda TVS к určení pohyblivých iontů...229 // 6.4.3. Kvazistatická mtoda C-U...230 // 6.4.4. Vodivostní metoda...232 // 6.4.5. Určení povrchové generační rychlosti a doby života minoritních nosičů ... 232 // 6.4.6. Zkoumání generačně rekombinačníeh procesů na rozhraní Si—Si02 pomocí diod // řízených hradlem...234 // 6.4.7. Efektivní hustota stavů...235 // 6.4.8. Prolil aktivních příměsí...235 // 6.5. Stabilizace povrchu...235 // 6.6. Vodivost tenkých vrstev polovodičů...237 // 6.7. Vodivost tenkých izolačních vrstev...238 // Literatura ke kapitole 6...240 // 7. Základní technologie polovodičů a součástek...242 // 7.1. Čištění výchozího materiálu...242 // 7.2. Příprava monokrystalů... 243 // 7.3. Selektivní dotování а kontaktování...245 // 7.4. Speciální diody...246 // 7.5. Tranzistory...249 // 7.5.1. Bipolámí tranzistory...249 // 7.5.2. Unipolární tranzistory...252 // 7.5.3. Výkonové tranzistory...253
7.5.4. Tyristor...254 // 7.6. Vrstvové integrované obvody...255 // 7.7. Monolitické integrované obvody...256 // 7.8. Meze miniaturizace ...259 // Literatura ke kapitole 7...261 // 7 // 8. Některé měřicí metody polovodičů...263 // 8.1. Rezistivita...203 // 8.2. Hallův jev...205 // 8.3. Doba života nadbytečných nosičů ,...265 // 8.4. Měření koncentrace a koncentračního profilu příměsí ...267 // 8.5. Měření na strukturách MOS...269 // 8.6. Elektronový svazek jako měřicí sonda...270 // 8.7. Hluboké příměsi...273 // Literatura ke kapitole 8...277 // Rejstřík...279
(OCoLC)39435680
cnb000055047

Zvolte formát: Standardní formát Katalogizační záznam Zkrácený záznam S textovými návěštími S kódy polí MARC